RECOMBINAISON DEPENDANT DU SPIN DANS LES SEMICONDUCTEURS ET STRUCTURES DE SEMICONDUCTEURSSTRIKHA VI; TRETYAK OV.1982; OPTIKA I SPEKTROSKOPIJA; ISSN 0030-4034; SUN; DA. 1982; VOL. 53; NO 4; PP. 750-752; BIBL. 12 REF.Article

RECOMBINAISON DEPENDANTE DU SPIN DANS LES SEMICONDUCTEURSMIMA LS; TRETYAK OV.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 9; PP. 1729-1732; BIBL. 7 REF.Article

QUELQUES EFFETS DEPENDANT DU SPIN LIES AU PASSAGE DU COURANT DANS LES DIODES A BASE LONGUEBORISOV FI; STRIKHA VI; TRETYAK OV et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 10; PP. 1978-1982; BIBL. 13 REF.Article

ETUDE DE LA RECOMBINAISON DEPENDANT DU SPIN DANS LES SEMICONDUCTEURSL'VOV VS; MIMA LS; TRETYAK OV et al.1982; ZURNAL EKSPERIMENTAL'NOJ I TEORETICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4510; SUN; DA. 1982; VOL. 83; NO 4; PP. 1557-1566; ABS. ENG; BIBL. 15 REF.Article

INFLUENCE DE LA DEFORMATION PLASTIQUE SUR LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE DE SI-NKORNYUSHIN YU V; MIMA LS; TRETYAK OV et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 11; PP. 2159-2163; BIBL. 17 REF.Article

PRODUCTION DE CONTACTS OHMIQUES SUR DU GAAS SEMI-ISOLANTFOMIN NG; VOROB'EV YU V; TRETYAK OV et al.1974; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 3; PP. 222-223; BIBL. 4 REF.Article

TRANSPORT DU COURANT DEPENDANT DU SPIN DANS LE SILICIUM DEFORME PLASTIQUEMENTKOLOMIETS IA; MIMA LS; STRIKHA VI et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 3; PP. 427-434; BIBL. 16 REF.Article

PHOTORECEPTEUR AUTOBALAYANT A BASE D'ARSENIURE DE GALLIUM SEMIISOLANT COMPENSE PAR DU CHROME AVEC INSTABILITE D'UN DOMAINEBLYUDNIKOV LM; VOROB'EV YU V; ZAKHARCHENKO VN et al.1975; OPT.-MEKH. PROMYSHL.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 42; NO 11; PP. 14-17; BIBL. 9 REF.Article